近年来关于有机分子器件的研究受到了广泛的关注，它们在柔性显示器、全塑智能卡、发光二极管等方面都显示出诱人的应用前景。并五苯分子（C₁₄H₂₂）由五个苯环沿直线排列而成，其平面的形状有利于固态结构中长程序的形成，而且它具有良好的化学和热稳定性，因此是应用于有机分子电子器件一种优异的候选材料，目前已经有关于并五苯分子制作场效应晶体管的报道。但是面向大规模集成电路制作的应用，需要深入理解有机分子薄膜的生长规律和性质，特别是对薄膜的载流子注入以及其迁移率等都强烈地依赖于结晶质量。如何制备高度有序、纯相的有机分子薄膜是一个极具挑战性又迫切需要解决的课题。

本报告介绍我们关于在Si(111)表面生长并五苯分子薄膜的研究工作。我们利用金属在Si(111)表面诱导的不同重构界面作为生长模板，研究了衬底性质对分子薄膜自组装生长行为的影响。特别地，通过比较具有相同Si(111)-(？3′？3)R30^o对称性的重构界面上薄膜的生长，我们澄清了衬底金属性和表面“粗糙度”对并五苯分子吸附形态以及长程序形成的影响。在Ag诱导的Si(111)- ？3表面，我们在不同的温度下得到了不同分子密度的并五苯单晶薄膜，直接观察到分子间相互作用对薄膜长程序形成的影响。另外，在低温下并五苯分子显示出独特的生长模式，揭示出动力学生长过程同样可能对有机分子薄膜结构的形成发挥作用；而且我们得到了与体相单晶结构不同、具有一定厚度的稳定薄膜，是对人工设计制备功能性有机材料的有益探索。