10月12日，应中国科学院宁波材料技术与工程研究所所属新能源所副研究员郭炜博士的邀请，上海大学教授吴亮博士来访宁波材料所进行学术交流，并作了题为“Novel approach to grow high quality and large size freestanding AlN single crystals by PVT method”的学术报告。

　　在报告中，吴亮针对AlN自支撑单晶衬底的应用、发展以及生长方式作了深入浅出的讲解。他指出，在高功率电子电力器件、深紫外LED以及紫外探测器领域，自支撑AlN单晶衬底都具有无可比拟的优势。由于AlN单晶衬底生长温度高（>2000℃），寄生反应严重，因此AlN单晶生长难度极大。考虑到气相沉积（PVT）方法的特殊性，反应釜的构造、热场设计等对于晶体生长的杂质含量、晶体极性和尺寸大小都有重要的影响。吴亮自主设计制造了W坩埚和一整套自动化长晶设备，目前已经能够生长出1英寸低位错密度（104cm^-2）、高紫外透光率的AlN单晶衬底，相应指标在国际上处于领先地位，同时该技术也打破了美国Hexatech, Crystal IS等公司对于AlN单晶的技术垄断和对国内的技术封锁，吴亮创办的企业为中国唯一一家能够生长高质量AlN自支撑单晶的单位。目前，吴亮设计制造的第二代晶体生长系统预计年底可实现规模化量产，届时将与宁波材料所合作，共同开发基于AlN单晶衬底的高效率紫外LED和紫外探测器器件。

        吴亮的报告十分精彩，大家在会后针对晶体生长技术、产业化前景等问题进行了深入热烈的探讨。会后，在叶继春研究员和郭炜博士的陪同下，吴亮还参观了新能源公共测试平台和超净间半导体加工平台。

　　吴亮教授简介：

　　吴亮教授是上海大学材料科学与工程学院“东方学者”特聘教授、博士生导师。吴亮分别于比利时天主教鲁汶大学、清华大学及大连理工大学获工学博士、工学硕士及本科学位。长期从事半导体、光伏/LED晶体材料模拟仿真技术、晶体生长设备及其生长工艺与缺陷的研究开发，是全球知名的晶体生长模拟仿真软件FEMAG的核心开发人员之一、知名网格生成软件poly2tri作者；Elsevier Journal of Crystal Growth客座编辑（guest editor）；PV Japan-2011 大会全员特邀演讲嘉宾（Plenary keynote speaker）；SEMI全球协会Semi China光伏材料学术委员会成员，光伏材料分会主席；主要研究方向为晶体生长设备、热场设计与工艺；磁场对晶体生长过程的影响及其耦合技术；晶体生长过程的微观缺陷形成机理及其传输机制。有限元非结构化网格自动生成；晶体生长工艺过程的全局计算机模拟、仿真与工艺优化等。

报告会现场　　

　　（新能源所 郭炜）