4月11日上午，应中国科学院宁波材料技术与工程研究所叶继春研究员的邀请，宁波大学教授陈王华来访宁波材料所，并做了题为“半导体纳米线，三维原子探针层析以及低温等离子体处理技术”的学术报告。

　　报告中，陈王华首先从半导体纳米线的发展历程出发，详细介绍了横向和纵向硅、锗纳米线的制备工艺、调控机理和器件应用；其次针对三维原子探针层析（APT）技术进行了全面的介绍，并对其场发生原理、飞秒激光和质谱分析三方面进行了初步的阐述，展示了APT技术对半导体和金属材料等超高精度（0.3nm）的浓度三维立体分布信息；最后还介绍了基于低温等离子体技术的等离子体调控、材料表面改性、结构刻蚀、器件钝化和薄膜外延等功能在太阳电池和微电子领域中的应用，并分享了薄膜硅研究中的几个关键问题。在交流互动过程中，陈王华还与师生就诸多热点问题进行了热烈的交流和探讨。

　　陈王华，博士，宁波大学教授。2012年毕业于法国鲁昂大学，获得材料物理博士学位。2013-2018年在法国巴黎综合理工学院从事低温等离子体半导体处理工艺的研发和检测。2018年10月回国加入宁波大学理学院。以第一或通讯作者在Nature Communications, Progress in Photovoltaics，Solar Energy Materials Solar Cells等国际一流学术期刊上发表学术论文20余篇。文章引用次数720余次。研究方向包括低温等离子体处理，三维原子探针层析，半导体纳米线的制备生长和表征等。

报告现场

　　（新能源所 杨熹）