5月27日，应中国科学院宁波材料技术与工程研究所所属二级所材料技术研究所王军强研究员的邀请，中科院长春光机所佟存柱研究员来访宁波材料进行学术交流所并作了题为“高功率高亮度半导体激光芯片技术研究”的学术报告。

　　报告中，佟存柱研究员介绍了半导体激光芯片技术的发展历程，和与会者详细交流了该领域最新的应用成果，同时提出并分析了该领域现阶段面临的问题。报告简明扼要又不失系统地让与会者对高功率半导体激光领域构建的基础框架以及相关领域的前沿理论和成果有了初步的了解与认识。

　　佟存柱研究员在报告中提到，随着激光制造技术的快速发展，高功率半导体激光芯片在光束质量和亮度上面临着更高的要求。然而，现阶段的半导体激光器存在谐振腔狭小不对称的问题，导致椭圆出光、光束质量差、亮度低。针对如何优化这一现状，报告着重介绍了如何提高半导体激光器光束质量和亮度，主要包括：外延方向采用双边布拉格反射波导结构控制快轴发散角，实现圆形光束半导体激光；侧向采用损耗剪裁微结构改善慢轴光束质量，降低远场发散角对驱动电流的依赖；在外腔结构中采用创新合束方法，提高激光器系统的光束质量和亮度。

　　报告结束后，佟存柱研究员与参会人员开展了气氛热烈的交流座谈会。座谈会上，佟存柱研究员一一解答了大家提出的关于高功率半导体激光原理及应用领域的疑问，不仅通过风趣深入的解说阐明了各问题的关窍，同时激发了大家对该技术领域的研究兴趣。随后，佟存柱研究员和与会者深入探讨了高功率半导体激光应用在材料加工方面的优势、特点以及今后的发展方向。

　　佟存柱，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员，发光学及应用国家重点实验室常务副主任。2005年于中国科学院半导体所获得博士学位，曾先后在新加坡南洋理工大学和加拿大多伦多大学从事研究工作。目前主要从事大功率半导体激光器的研究，包括直接半导体激光、面发射激光和碟片激光。入选吉林省创新创业人才计划。曾获王大珩光学奖、《科学中国人》年度人物-杰出青年科学家奖。IEEE 高级会员。主持973项目课题、国家自然科学基金委重大项目课题、科技部国际合作等项目14项。发表学术论文100余篇，授权中国发明专利21项，美国专利1项，受理中国发明专利申请12项，美国专利申请2项，国际会议邀请报告20余次。

　　（磁材事业部 刘烜志）