第二届长三角新材料暨第三代半导体产业发展论坛在宁波召开
12月4日,中国科学院宁波材料技术与工程研究所协同宁波市北仑区人民政府、宁波经济技术开发区管理委员会、第三代半导体产业技术创新战略联盟、宁波电子行业协会共同举办了第二届长三角新材料暨第三代半导体产业发展论坛。国内著名行业专家、宁波市相关领导和上下游企业家代表等出席论坛。
宁波市副市长陈炳荣首先发表致辞,他指出第三代半导体作为新材料的重要代表,在集成电路产业的发展中无可替代。良好的全产业链条、合理的产业发展格局、重大创新载体与优质企业使得宁波在集成电路领域具有明显的区域优势。
会上,参会的院士专家等针对第三代半导体发展,做了一系列专题报告。干勇院士在题为“新材料产业高质量发展战略”的主旨报告中指出,当今世界正面临百年未有之大变局,对我国新材料产业发展提出了更高要求,而高端新材料是支撑国家重大战略需求的保障。第三代半导体产业目前处于最佳窗口期,因此提升自主创新能力,在标准、知识产权等方面尽快布局,占领战略制高点对于今后新材料产业的发展具有重大意义。
圆桌对话环节,第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲等专家围绕着“十四五”时期第三代半导体材料和产业的发展面对的机遇与挑战以及宁波市如何更好地融入长三角半导体产业发展等话题进行了深入的探讨。专家们表示,我国将第三代半导体列入“十四五”规划,将带动一批科技企业大力投入研发,宁波企业也要借着这股东风,再接再厉,在本地形成特色型产业,实现弯道超车。
中科院宁波材料所作为宁波创新载体的重要组成部分,专家学者积极参与本次论坛,江南研究员做了题为“高导热碳素材料研制与应用”的报告,为引领科研成果转化提供了指导意义。
本次会议全面交流探讨了集成电路全产业链发展路径,针对第三代半导体产业链协同合作与创新发展方法进行了重点讨论,为宁波第三代半导体产业交流合作和协同发展提供了巨大的推动力,同时为中科院宁波材料所第三代半导体研究方向的合理布局提供了重要的指导方针。
第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能,因而在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器等方面展现出巨大的潜力,作为先进战略性新技术,其应用领域涉及电力电子、信息工程、新能源等,对我国科学技术和社会经济发展起着战略性支撑作用,是集成电路产业的发展重点。我国将它作为列入“十四五”规划,带动了一批科技企业大力投入研发,产业将迎来飞速发展。当前,宁波市正聚焦产业基础高级化、产业链现代化,加快打造以特色工艺集成电路为代表的十大标志性产业链,大力发展第三代半导体以及IGBT、模拟及数模混合电路、MEMS等集成电路特色工艺,加快突破关键核心技术,力争在5G、物联网、工业互联网、新一代人工智能等新兴应用领域形成新动能,打造具有国际竞争力的特色工艺集成电路产业基地。
宁波市副市长陈炳荣致辞
中国工程院院士干勇作报告
专家针对宁波第三代半导体的发展进行圆桌对话
大会现场
(新能源所 蒋洁安、崔梅)