12月5号，应中国科学院宁波材料技术与工程研究所所属新能源所太阳能及光电子器件团队叶继春研究员的邀请，北京大学沈波教授来访中科院宁波材料所，并作了题为“氮化物半导体及其量子结构的大失配异质外延”的学术报告。

　　沈波首先简单介绍了北京大学物理学院在宽禁带半导体，特别是GaN材料与器件领域的研究方向和科研进展，以及目前氮化物半导体的主要进展及发展趋势，并详细讲解了GaN基电子器件的应用领域、节能效益以及成本优势。他指出，继氮化物LED照明领域之后，宽禁带半导体功率电子器件将会是下一个爆发出万亿市场潜力的新兴领域。随后，针对氮化物生长质量较差的问题，沈波从大失配外延的角度，阐述了异质外延的必要性、存在的科学问题以及物理机制，分享了目前主流的优化晶体质量的技术路线，并和与会人员展开了热烈的讨论。

　　沈波，北京大学理学部副主任，宽禁带半导体研究中心主任，物理学院长江特聘教授，国家杰出青年基金获得者，国家973计划项目首席科学家，国家863计划“半导体照明”重点专项总体专家组成员，国家863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长，享受国务院特殊津贴。1995年至今一直从事GaN基宽禁带半导体材料与器件。在GaN基量子结构的外延生长、强极化/高能带阶跃半导体二维电子气输运性质、宽禁带半导体物理缺陷以及射频功率器件等领域具有一定影响。先后与华为、京东方以及中国电科等企业展开了一系列合作。迄今发表学术论文300多篇，论文被引4000多次，申请/获得国家发明专利60多件。先后获得国家技术发明二等奖，国家自然科学二等奖等。

会议现场

　　（新能源所 戴贻钧）