12月4日，应中国科学院宁波材料技术与工程研究所所属新能源所太阳能及光电子器件团队叶继春研究员的邀请，中国科学技术大学微电子学院执行院长龙世兵教授来访中科院宁波材料所，并作了题为“氧化镓半导体器件”的学术报告。

　　龙世兵首先简单介绍了氧化镓材料的基本结构、性能优势以及导模法生长的成本优势，氧化镓在功率电子器件中的应用，目前氧化镓功率电子器件的主要优势、进展以及发展趋势，单器件、阵列及成像的发展趋势，多种晶型氧化镓光电探测器以及不同工艺对探测器性能的影响机理，并总结了氧化镓功率电子器件和深紫外探测器面临的挑战及应对措施。他指出，当前氧化镓材料及器件的研究呈现出显著的加速发展态势，要把布局和经费投入上升到战略层面，力争抓住国际领先的大好机遇。会后，龙世兵和与会人员展开了热烈讨论和交流。

　　龙世兵，教授，博导，中国科学技术大学微电子学院执行院长，IEEE高级会员，从事超宽禁带半导体器件、存储器等领域的研究。在IEEE EDL等国际学术期刊和会议上发表论文100余篇，SCI他引4000余次，H因子35，5篇论文入选ESI高引论文（累计引用居前1%的论文）。获得/申请专利100余项，其中9项转移给国内最大的集成电路制造企业中芯国际，74项授权/受理发明专利许可给武汉新芯。主持国家自然科学基金、科技部（863、973、重大专项、重点研发计划）、中科院等资助科研项目18项。获得2013年国家技术发明奖二等奖（第6完成人）、2016年国家自然科学二等奖（第4完成人）、2018年中国科学院杰出科技成就奖（第3完成人）。

报告现场

　　（新能源所 张潭）