在电阻式随机存储器(RRAM)研发的进程中，一个重要的障碍是电阻转变机制不明确，所以很难找到明确的技术方案来实现阻变效应的可控性和稳定性。目前，多数研究者认为是导电丝通断过程控制着电阻态转变，并且认为导电丝是从阴极向阳极生长，导电丝的通断位置在阳极附近。为了实现对导电丝的控制，清楚认识导电丝的通断过程以及通断位置非常重要。最近，中科院磁性材料与器件重点实验室李润伟研究团队彭姗姗同学在诸葛飞副研究员的指导下，通过巧妙的实验设计，在顶电极/氧化锌/底电极器件结构中采用不同的顶电极材料，在器件Forming以后，细致研究高阻态下IV曲线的对称性，通过界面势垒分析，推断出氧化物基材料中导电丝的通断位置在阴极附近，确定了导电丝的生长方向和可能的形状。该发现对于认识氧化物中阻变机制，实现细致控制导电丝的通断过程很有意义。

该结果发表在Appl. Phys. Lett.100.072101(2012)，并被选为头条研究亮点，在APL首页重点报道。详细内容参见[PDF]。该研究工作获得973子课题、国家自然科学基金等项目支持。

该文章被APL选为头条研究亮点

顶电极/氧化锌/底电极结构中导电丝通断位置不同对应的模拟图

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　  （磁材事业部）