专利名称：一种全碳忆阻器及其制备方法
专利(申请)号：ZL201810339076.5
申请日期：2018-04-16 00:00:00
授权日期：2022-03-08 00:00:00
第一发明人：诸葛飞
其他发明人：诸葛飞; 竺臻楠; 俞家欢; 曹鸿涛
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所