专利名称：场效应晶体管及存储记忆体
专利(申请)号：ZL201820870458.6
申请日期：2018-06-06 00:00:00
授权日期：2019-01-29 00:00:00
第一发明人：戴明志
其他发明人：戴明志
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所