专利名称：一种III族氮化物半导体发光器件台面刻蚀方法
专利(申请)号：ZL201811541251.5
申请日期：2018-12-17 00:00:00
授权日期：2021-04-30 00:00:00
第一发明人：徐厚强
其他发明人：徐厚强; 蒋洁安; 郭炜; 叶继春
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所