专利名称：晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法
专利(申请)号：ZL201910023352.1
申请日期：2019-01-10 00:00:00
授权日期：2021-12-07 00:00:00
第一发明人：宋振纶
其他发明人：宋振纶; 杨丽景; 郑必长; 李伟东; 朱启航
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所; 包头希迪瑞科技有限公司